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日本昭和電工23日宣布,將通過在日本和海外公開募股籌集約1100億日元資金,所得款項將用于資本投資,以增加半導體材料的生產能力。


其中,約700億日元將用于擴增SiC晶圓等半導體材料產能。

昭和電工增資1100億日元用于半導體材料增產
圖源自網絡

昭和電工表示,藉由公募增資、第三者配額增資,以及視需求動向將實施超額配售,預估最高將發行3,519萬股新股、約相當于現行已發行股數的2成比重,最高將籌得1093億日元資金,其中約700億日元將用于增產半導體材料。

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公告顯示,昭和電工將投資248億日元在日本和海外增加用于印刷電路板的“覆銅板”和“感光膜”的生產能力。

232億日元用于提高全球占有率第一的半導體前端制程用磨料的質量和產能,項目預估2023年12月完工;

110億日元用于客戶的半導體相關制造商可以結合尖端材料制作原型的基地,并增強他們的設施;

58億日元用于增加碳化硅(SiC)晶片和鋰離子電池組件的生產,增產工程預計于2023年12月完工;

其他部分,100億日元投給定位為增長業務的汽車,用于增加樹脂部件的生產能力;82億日元用于再生醫學相關產品;資本投資剩余的約200億日元將用于償還債務。

據稱,昭和電工目標是到2013年12月結束的財政年度,銷售額從2008年12月起增加60%,達到1.6萬億日元,EBITDA(利息、稅款和攤銷前利潤)增加6.4倍,達到3200億日元。

今年5月,昭和電工與英飛凌簽訂了一份包括外延在內的多種SiC材料的供應合同。英飛凌因此獲得了更多的基礎材料,以滿足對SiC基產品不斷增長的需求。據悉,英飛凌與昭和電工株式會社之間的合同為期兩年。

昭和電工預計該合同將使英飛凌能夠將昭和電工的 SiC材料應用于各種功率半導體產品,并且兩家公司將通過匯集兩家公司的技術來加速改善產品質量。


文稿來源:化合物半導體市場整理


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昭和電工增資1100億日元用于半導體材料增產


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作者 ab

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