盛美上海的Ultra C碳化硅清洗設(shè)備采用硫酸雙氧水混合物?(SPM)?進(jìn)行表面氧化，并采用氫氟酸?(HF)?去除殘留物，進(jìn)行碳化硅晶圓的清洗。該設(shè)備還集成盛美上海的SAPS 和 Megasonix??技術(shù)實(shí)現(xiàn)更全面更深層次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗設(shè)備可提供行業(yè)領(lǐng)先的清潔度，達(dá)到每片晶圓顆粒≤10ea0.3um，金屬含量＜ 1E10atoms/cm³水平。該設(shè)備每小時(shí)可清洗超過(guò) 70?片晶圓，將于 2022 年下半年上市。

可為砷化鎵和磷化銦鎵?(InGaP)?工藝提供＜2%?的均勻度，＜ 10%?的共面度及＜ 3%?的重復(fù)度。Ultra C 濕法刻蝕設(shè)備可提供行業(yè)領(lǐng)先的化學(xué)溫度控制、刻蝕均勻性。該設(shè)備將于 2022 年第三季度交付給某重要客戶，并由其進(jìn)行測(cè)試。

盛美上海的Ultra ECP GIII 1309 設(shè)備集成了預(yù)濕和后清洗腔，支持用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料，以及重分布層?(RDL)?和凸點(diǎn)下金屬化?(UBM)?工藝。設(shè)備實(shí)現(xiàn)了晶圓內(nèi)和模內(nèi)小于3%的均勻度和小于2% 的重復(fù)度。該設(shè)備已于 2021 年中交付給客戶，并滿足客戶技術(shù)要求。

Ultra ECP GIII 1108 設(shè)備提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝，集成預(yù)濕和后清洗腔。設(shè)備采用盛美上海久經(jīng)考驗(yàn)的柵板技術(shù)進(jìn)行深孔電鍍，以提高階梯覆蓋率。它可達(dá)到晶圓內(nèi)和模內(nèi)＜ 3%的均勻度和＜ 2%?的重復(fù)度。腔體和工藝槽體經(jīng)過(guò)專門設(shè)計(jì)，可避免金電鍍液的氧化，且工藝槽體具有氮?dú)獯祾吖δ埽蓽p少氧化。該設(shè)備已于去年年底交貨給關(guān)鍵客戶。

盛美上海的Ultra C ct 涂膠設(shè)備采用二次旋轉(zhuǎn)涂膠技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)均勻涂膠。設(shè)備擁有行業(yè)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)，包括精確涂膠控制、自動(dòng)清洗功能、冷熱板模塊以及每個(gè)腔體的獨(dú)立過(guò)程控制功能。

在化合物半導(dǎo)體工藝中，盛美上海的Ultra C dv 顯影設(shè)備可進(jìn)行曝光后烘烤、顯影和硬烤的關(guān)鍵步驟。設(shè)備利用盛美上海的先進(jìn)技術(shù)，可按要求實(shí)現(xiàn)+/-0.03 LPM的流量和?+/-0.5 攝氏度的溫度控制。

Ultra C s 刷洗設(shè)備以盛美上海先進(jìn)的濕法清洗技術(shù)為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的污染物去除效果。該設(shè)備通過(guò)氮?dú)忪F化二流體清洗或高壓清洗實(shí)現(xiàn)高性能，以更有效地清洗小顆粒。此外，設(shè)備還可兼容盛美上海專有的兆聲波清洗技術(shù)，以確保優(yōu)良的顆粒去除效率（PRE），且不會(huì)損壞精細(xì)的圖形結(jié)構(gòu)。

盛美上海的Ultra C pr濕法去膠設(shè)備利用槽式浸泡和單片工藝，確保高效地進(jìn)行化合物半導(dǎo)體去膠。該設(shè)備最近由一家全球領(lǐng)先的整合元件制造商（IDM）訂購(gòu)，用于去除光刻膠，這進(jìn)一步驗(yàn)證了盛美上海的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

Ultra SFP 為傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光在硅通孔 (TSV) 工藝和扇出型晶圓級(jí)封裝 (FOWLP)應(yīng)用提供了一種環(huán)保替代方案。在 TSV 應(yīng)用中，盛美上海的無(wú)應(yīng)力拋光 (SFP) 系統(tǒng)可通過(guò)運(yùn)用專有的電拋光技術(shù)去除低至 0.2μm 的銅覆蓋層，再使用傳統(tǒng)的 CMP 進(jìn)一步去除剩余銅至阻擋層，并通過(guò)濕法刻蝕去除阻擋層，從而顯著降低耗材成本。對(duì)于 FOWLP，相同的工藝可以克服由厚銅層應(yīng)力引起的晶圓翹曲，并應(yīng)用于RDL中銅覆蓋層并平坦化 。

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