碳化硅陶瓷基板主要應(yīng)用于：

●激光? ●芯片? ●半導(dǎo)體封裝

SiC主要應(yīng)用領(lǐng)域：

高鐵動(dòng)車、5G、新能源汽車、充電樁、PFC電源、智能電源、不間斷電源、馬達(dá)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、照明......

IGBT 陶瓷基板特點(diǎn)：

1.高溫下具有高強(qiáng)度和斷裂韌性；
2.散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)及芯片匹配，同時(shí)具有極高的耐熱沖擊性；
3.使用氮化鋁陶瓷基板的設(shè)備還能進(jìn)一步縮小體積；

4.具有極高的耐化學(xué)腐蝕性和良好的耐磨性能。
IGBT?陶瓷基板應(yīng)用于風(fēng)能、太陽能、新能源裝備、電動(dòng)汽車、信息通信等領(lǐng)域。

制冷片陶瓷基板特點(diǎn)：

1.可以降溫到環(huán)境溫度以下；

2.同一器件可以滿足升溫和降溫的要求；

3.精確的溫度控制；

4.高可靠性，壽命一般可以達(dá)到200,000 小時(shí)以上；

5.電子靜音，不會(huì)被電子干擾信號(hào)，不制造噪音；

6.可以在任意角度和零重力狀態(tài)下工作

7.簡單方便的能源供給；

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展至科技推出的 3D 成型 DPC 陶瓷基板則為徹底去除有機(jī)封裝材料提供了最佳解決方案。陶瓷基板與金屬圍壩一體成型，形成密封腔體，無連接界面，氣密性高，防水性好：金屬圍壩的形狀可以任意設(shè)計(jì)，圍壩頂部可制備出定位臺(tái)階，便于精確放置玻璃透鏡：根據(jù)器件氣密性要求，圍壩與透鏡的連接，或采用焊接或采用粘結(jié)都非常方便；3D 成型 DPC 陶瓷基板可以整片制造，具有工藝一致性高，制造周期短等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。

DBC 是一種在高溫下通過熱熔合的方式將銅與 Al2O3 和 AIN 陶瓷表面直接結(jié)合在一起的復(fù)合基板。在覆銅表面可以根據(jù)電路設(shè)計(jì)或產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，蝕刻出相應(yīng)的圖案。由于采用 DBC 底座的電源模塊層數(shù)較少，因此具有更多功能較低的熱阻值，并且由于膨脹系數(shù)與硅匹配，因此它們具有更好的功率循環(huán)能力 (高達(dá) 50,000 次循環(huán))。

AMB 活性焊銅工藝是 DBC 工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，它是利用釬料中含有的少量活性元素與陶瓷反應(yīng)生成能被液態(tài)釬料潤濕的反應(yīng)層，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬接合的一種方法。先將陶瓷表面印刷活性金屬焊料而后與無氧銅裝夾后在真空釬焊爐中高溫焊接，覆接完畢基板采用類似于 PCB 板的濕法刻蝕工藝在表面制作電路，最后表面鍍覆制備出性能可靠的產(chǎn)品。

DPC 薄膜電路陶瓷封裝基板是一種結(jié)合薄膜金屬化與電鍍制程的技術(shù):即根據(jù)應(yīng)用需要，在高導(dǎo)熱的陶瓷基體上，采用薄膜金屬化及影像轉(zhuǎn)移方式制作 2D 金屬線路，然后采用 TCV (Through Ceramic Via) 技術(shù)形成雙面布線間的垂直互連，最后采用堆疊技術(shù)獲得與陶瓷基體結(jié)合緊密的一體式 3D 金屬框架。