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? ?氮化硅基板具有優(yōu)異的高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)和高抗熱震性,力學(xué)性能優(yōu)異,其抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性是氮化鋁氧化鋁的2倍以上,成為大功率第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料之一,隨著5G時代不斷發(fā)展,航天航空、軌道交通、電動汽車、光伏逆變、智能電網(wǎng)等多種場景都需要氮化硅陶瓷基板的應(yīng)用。氮化硅基板也是世界級的戰(zhàn)略材料,是目前世界上兼具高導(dǎo)熱性、高可靠性的綜合性能最好的陶瓷基板材料,因其綜合性能高,研發(fā)難度大,尤其是即燒型氮化硅基板難度更大,美、日也在對其進(jìn)行封鎖,國內(nèi)部分研究機(jī)構(gòu)和陶瓷企業(yè)進(jìn)行了比較大的研發(fā)投入,艾森達(dá)作為氮化鋁陶瓷基板的領(lǐng)先企業(yè),也是國內(nèi)首家氮化鋁即燒型基板的量產(chǎn)化企業(yè),艾森達(dá)團(tuán)隊(duì)于2020年開始進(jìn)行氮化硅基板的潛心研發(fā),目前已突破即燒型氮化硅基板的流延、排膠、燒結(jié)、后處理等技術(shù)工藝瓶頸,實(shí)現(xiàn)氮化硅基板的量產(chǎn)化,形成了不同粉體和性能的系列氮化硅產(chǎn)品。

? ?艾森達(dá)使用國際先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備,自主研發(fā)高品質(zhì)氮化硅陶瓷基板,適用于功率半導(dǎo)體AMB陶瓷覆銅板,已通過多家國內(nèi)外客戶認(rèn)證,艾森達(dá)氮化硅陶瓷基板熱導(dǎo)率達(dá)到80-90W/m·k,抗彎強(qiáng)度>700MPa,并且可同時用于AMB焊片和焊料兩種工藝,剝離強(qiáng)度>100N/cm,高低溫循環(huán)沖擊5000次無孔洞,滿足下游企業(yè)對基板性能的需求。

艾森達(dá)氮化硅基板近況

上圖為艾森達(dá)氮化硅遠(yuǎn)銷海外市場的原產(chǎn)地證明)

艾森達(dá)氮化硅基板近況

艾森達(dá)氮化硅基板近況

目前艾森達(dá)138*190*0.32規(guī)格的氮化硅陶瓷基板月產(chǎn)能在4-5萬片左右。為滿足客戶需求,艾森達(dá)已經(jīng)開始實(shí)施氮化硅陶瓷基板擴(kuò)產(chǎn)方案,繼續(xù)采購國際知名制程設(shè)備用以保證產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性,同時提高生產(chǎn)自動化能力以及各種可靠性測試能力,形成氮化硅10萬片的自動化的生產(chǎn)線,預(yù)計2024年上半年達(dá)成,為下游客戶的快速發(fā)展提供穩(wěn)定的核心原材料。

一、即燒型氮化硅基板特性參數(shù)

項(xiàng)目
單位
ASD-1
ASD-2
ASD-3
熱導(dǎo)率

W/m?K

85-90
80-85
65-75
表面粗糙度

μm

0.6
0.6
0.6
翹曲度

in

5
3‰
3‰
表觀密度

g/cm3

3.20
3.20
3.20
抗彎強(qiáng)度

MPa

700-800

700-800
700-800
體電阻率

Ω?cm

>1014
>1014
>1014
熱膨脹系數(shù)RT-400℃

10-6/K

2.72
2.72
2.68
斷裂韌性

MPa?m1/2

6.5
6.5
6.5
維氏硬度

GPa

15
15
15
介電常數(shù)1MHz
-
9
9
9
擊穿電壓

KV/mm

20
20
20

二、流延生胚工藝

艾森達(dá)氮化硅基板近況

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三、排膠、燒結(jié)工藝

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