近日，金冠電氣(688517.SH)在投資者互動平臺表示，陶瓷基板和覆銅陶瓷基板產(chǎn)品主要應用于新能源、電動機車用的IGBT等大功率半導體芯片的封裝。其核心產(chǎn)品避雷器的關(guān)鍵元器件電阻片采用先進的電子陶瓷工藝制造，性能卓越，具備低殘壓、高能量吸收以及優(yōu)異的老化性能等特點，在此基礎(chǔ)上，公司進一步研發(fā)泛半導體領(lǐng)域的先進陶瓷。

據(jù)金冠電氣2024年半年報資料，金冠電氣常規(guī)導熱的氮化鋁和氮化硅基板實驗室研發(fā)已經(jīng)完成，高導熱的氮化鋁陶瓷基板粉料選型、有機體系以及流延工藝開發(fā)完成；硅粉氮化工藝制備低成本氮化硅陶瓷基板已完成流延坯體的開發(fā)，下一步將重點研究反應燒結(jié)工藝。直接鍵合 DBC 覆銅基板和活性金屬釬焊 AMB 覆銅基板后道蝕刻、化學鍍、激光切割等工藝已打通，目前正在進行可靠性測試。

此外，在研項目碳化硅和氮化硅等陶瓷部件研發(fā)，目前原材料和設(shè)備采購以及工藝方案的制定初步完成，計劃重點研究反應燒結(jié)和無壓燒結(jié)工藝。目標是搭建實驗線，打通實驗工藝，找到適合的陶瓷部件產(chǎn)品并研發(fā)成功，綜合性能達到國內(nèi)一般水平，主要應用于半導體設(shè)備上用的陶瓷部件，如靜電吸盤、真空吸盤、晶圓加熱盤、基座、腔室、機械臂、機械密封等。

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