日本產業技術綜合研究所（National Institute of Advanced Industrial Science and Technology，AIST）與日本礙子株式會社（NGK INSULATORS, LTD.）最近開始聯合研究針對功率半導體元件（功率半導體模塊）中的氮化硅陶瓷基板的熱擴散率評估方法。通過共同研究提高尖端產品的評估方法的準確性，將支持技術先進的電路板制造商的制造和開發，幫助他們提高在全球不斷擴展的電子設備相關市場中的競爭力。
氮化硅陶瓷基板是用于電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）電機控制用逆變器等絕緣散熱電路基板的核心部件。它起到將功率半導體模塊工作時產生的熱量散發出去的作用，基板越薄、熱擴散率越高，越能提高功率半導體模塊的工作效率。隨著電動汽車和混合動力汽車的普及，能夠處理大功率的功率半導體模塊的使用越來越多，對具有優異散熱性能的薄板的需求也隨之增加。然而，由于目前尚無評估厚度小于0.5毫米的基板熱擴散率的標準，因此確保測量結果的可比性一直是一個問題。
在該聯合研究項目中，擁有豐富評估方法知識的AIST和擁有先進陶瓷基板相關技術的NGK將收集數據，以量化預處理工藝對基板熱擴散率測量的影響。由此，可驗證現有日本工業標準（JIS）中未規定的厚度小于0.5毫米的高性能薄板的評估方法，有助于提高測量值的準確性和未來評估方法的標準化。通過此次聯合研究，AIST將向產業界提供一種高精度、高重復性的薄基板熱擴散率測量方法，為該領域評價方法的標準化做出貢獻。NGK不僅可以提高絕緣散熱電路板的可靠性，還可以通過提供獨特的陶瓷技術和產品為解決社會問題做出貢獻。
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