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一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件,以低電壓控制大功率電路的斷開與導通,廣泛應用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業機器等領域。隨著我國高鐵、航空航天、混合動力汽車的飛速發展, IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開關轉換速度、更低的能量損耗等,因此,需要高可靠性的封裝技術使芯片的優勢能夠完全發揮出來。其中,IGBT 封裝用散熱基板在封裝時起著機械互連和電氣導通的作用,是高可靠性封裝中至關重要的環節。

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圖??EC?DUAL3?IGBT模塊,攝于北一半導體展臺
IGBT 封裝對基板材料的要求如下:熱導率高、介電常數低、與芯片材料的熱膨脹系數相匹配、力學強度優良、加工性能好、成本低、耐熱沖擊和冷熱循環等。閱讀本文前,歡迎掃碼下方二維碼加入艾邦陶瓷基板及封裝產業微信群,與行業朋友一起交流學習。
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一、IGBT?模塊封裝用陶瓷材料種類

IGBT 模塊的典型封裝結構如圖所示,可以看出芯片產生的熱量主要通過基板和散熱翅傳遞出去,因此基板所采用的材料需要導熱性能優良、耐熱沖擊,同時介電常數要低,避免產生雜散電感,減少能源損耗。為實現機械固定,基板材料還需要具有一定的強度。由于陶瓷材料具有強度高、絕緣性好、導熱和耐熱性能優良、熱膨脹系數小、化學穩定性好等優點,非常適合作為IGBT 封裝用基板材料。

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圖??IGBT?模塊封裝典型結構圖
市面上常見的作為 IGBT 封裝用的基板材料有 AlN、Al2O3、Si3N4等,其具體物理參數如下表所示。還有在這些陶瓷成分的基礎上做的一些改性,使其既具有優良的導熱性能,又有較高的機械強度,如氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷(ZTA)。陶瓷材料的選擇,需要從陶瓷的熱導率、熱膨脹系數、電絕緣性能、機械強度、成本等進行綜合考慮。

表?常見陶瓷材料的物理性能

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1)Al2O3
Al2O3 陶瓷由于價格低廉,應用最廣泛,但是其熱導率較低、熱膨脹系數高,芯片工作時產生的熱量沒法及時散出,顯著降低了模塊的可靠性,不能滿足更大功率密度 IGBT 模塊的使用要求。

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圖 氧化鋁陶瓷片,來源:六方鈺成
2)AlN
AlN 陶瓷熱導率高,在室溫下,其理論熱導率可以達到 319 W/(m·K),撓曲強度高,與 Si、SiC、GaN 的熱膨脹系數相近,是合適的基板選擇材料之一。

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圖??氮化鋁基板,來源:成都旭瓷
3)Si3N4
商業常見的 Si3N4 陶瓷的熱導率達到 90 W/(m·K),相對于 AlN 的熱導率低,但遠大于 Al2O3 的熱導率,同時機械強度高,斷裂韌性好,高溫可靠性更好。因此 Si3N4 在如今的 IGBT 封裝基板中具有很大的應用潛力。

二、IGBT?模塊陶瓷襯板金屬化技術

IGBT 封裝用基板在模塊中除發揮機械固定元器件的作用外,還需要具有一定的載流能力。單純的陶瓷材料并不導電,需要將陶瓷金屬化后,在金屬層刻制電路,才能作為 IGBT 封裝用基板材料。這就帶來了新的問題,由于金屬和陶瓷的熱膨脹系數相差很大,在每一次冷熱循環后,會在界面處產生殘余熱應力,長時間累積會導致金屬層剝落,陶瓷開裂,使得 IGBT 模塊失效。
表??金屬化陶瓷基板的可靠性
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市面上的 IGBT 封裝基板采用直接覆銅(Direct Bonding Copper,DBC)、活性金屬釬焊(Active Metal Brazing,AMB)技術直接敷鋁陶瓷基板(Direct Bonded Aluminum,DBA)技術,將不同的金屬材料與陶瓷材料互連,作為 IGBT 模塊封裝用基板。陶瓷和金屬互連的難題在于熔融金屬難以潤濕陶瓷表面,金屬與陶瓷的熱膨脹系數不匹配,接頭處容易產生較大的殘余應力。
1)DBC技術
DBC 是利用在 1065~1083℃形成的 Cu-O 共晶液能夠潤濕大多數陶瓷如 Al2O3、AlN,從而形成可靠的連接。

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圖? DBC陶瓷覆銅板,來源:萬士達

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2)DBA技術
DBA是基于DBC技術發展起來的新型金屬敷接陶瓷基板,是鋁與陶瓷層鍵合而形成的基板,其結構與DBC 相似,也可以像PCB基板一樣蝕刻出各式各樣的圖形。DBA 法常見的有兩類:①熔融液態鋁敷接法;②金屬過渡法。

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圖??DBA覆鋁陶瓷載板,攝于富樂華展臺

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3)AMB技術
AMB 是一種釬焊互連的方法,利用釬料中含有的 Ti、Zr、Al、Hf、Nb、Cr、Ta、V 等活性元素與陶瓷基板發生反應,形成中間連接層,從而將金屬與陶瓷連接起來。AMB 的優點是焊接工藝簡單,結合強度高;缺點是活性元素容易氧化,釬料成本高,需要在高真空或惰性氣氛下焊接,使得整個基板的成本提高。

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圖? AMB 陶瓷襯板,來源:艾明博

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AMB 和 DBC、DBA 有著各自的優缺點,DBC 基板成本低,但是可靠性差,不適合在苛刻環境下使用的 IGBT 模塊;而 AMB 得到的基板雖然成本提升,但可靠性高,更適合于高溫、高功率密度下使用的 IGBT 模塊,例如在航空航天、軌道交通、新能源汽車等領域中使用。DBA 與 DBC 在很多方面類似,但是相比于 DBC,DBA 具有顯著的抗熱震性能和熱穩定性能,且重量輕、熱應力小,對提高在極端溫度下工作器件的穩定性十分明顯,因此特別適合用于功率電子電路。
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資料來源:黃義煉等:IGBT 模塊封裝用基板材料的研究現狀

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