2月20日，據“重科城微報”消息，作為重慶在半導體領域的旗艦項目，位于西部（重慶）科學城的三安意法半導體項目在春節期間不停工，建設取得快速進展，預計年內亮燈通線，比原計劃提前2個月。
三安意法半導體項目，包括一家專業從事碳化硅外延、芯片、研發、制造、銷售的車規級功率芯片制造企業，以及為其提供碳化硅襯底的材料供應商。
其中，車規級功率芯片制造企業，由國內化合物半導體龍頭企業三安光電和國際半導體巨頭意法半導體合資設立，規劃總投資約32億美元。達產后，每年能生產48萬片8吋碳化硅車規級MOSFET功率芯片，在行業處于領先水平。目前，項目主廠房已經封頂，正在進行室內裝修和設備采購。
安意法半導體有限公司總經理張潔博士表示：“樂觀地預計，在今年的8月和11月，我們能夠分別進行襯底廠和芯片廠的點亮投產。達產以后 ，會達到每周一萬片8吋碳化硅MOSFET芯片的產出水平，主要是應用在新能源汽車主驅逆變、充電樁和車載充電器上。”
據了解，作為目前SiC最大的應用市場，8吋碳化硅車規級MOSFET功率芯片目前在新能源汽車領域供不應求。并且此項目得到了政府的正式許可，幫助其早建成早投產，跑出“加速度”。原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：重慶三安意法SiC項目將年內提前2個月通線！
