半切工藝是HTCC管殼的一項核心工藝,因其影響到后續的電鍍、釬焊、切割等工序,在管殼項目中起到了關鍵作用。傳統的半切工藝采用熱切機進行,在半切過程中易產生移位,腔體變形等現象,針對緊密排版,小尺寸,深腔體產品,近日,中國電科第二研究所微電子應用事業部開發了激光半切工藝。
激光半切工藝以張偉和項目負責人馬其琪牽頭,成立半切攻克小組,集中解決HTCC管殼半切問題。馬其琪負責對半切工藝進行探索,調節合適的參數進行工藝試驗,張偉負責對半切后的樣品進行后續的驗證和反饋。經過反復試驗和驗證,最終確定了以激光半切補充熱切半切的半切方式。試驗結果表明,在保證整個過程位置精度的同時,能同時滿足半切精度和平整度的要求。半切后的產品經過燒結,能夠順利裂片,且斷面平整,能夠滿足HTCC管殼產品的要求。
HTCC管殼激光半切工藝的突破,無論從硬件成本、人工成本原材料節約成本還是工藝效果上,均較固有的熱切工藝有了明顯的提高,對傳統的熱切工藝形成一個有效的補充,也是“HTCC管殼生產線建設”項目順利推進的重要技術保障。
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