近日，國際半導體產業協會（SEMI）正式發布了碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準——《4H-SiC同質外延片標準》（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。此標準由瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司主導編寫，由中國科學院半導體研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、Wolfspeed等十二家單位參與編寫，歷時近三年時間。

國際半導體產業協會（SEMI）是全球性的產業協會，致力于國際標準的制定，SEMI積極促進微電子、平面顯示器及太陽能光電等產業供應鏈的整體發展，代表著全球各地產業的呼聲和需求，是行業發展趨勢的風向標。

SEMI全球已成立了21個標準委員會及200多個工作小組為推動全球產業標準的制定貢獻力量。目前SEMI國際產業標準已有50年的發展歷史，已經制定了高達1077項、21大類的標準及安全相關準則，并廣為全球IDM廠、晶圓廠、封裝測試廠等應用。

《4H-SiC同質外延片標準》這一國際標準的發布實施，將在規范國際碳化硅半導體外延行業有序發展，降低國際貿易協作成本，加速新技術在全球的推廣等方面具有深遠的意義。

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：全球首個碳化硅半導體外延晶片SEMI國際標準正式發布