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突破壟斷，六方半導體SiC涂層技術實現國產替代

2 月 2, 2024

1月31日，六方半導體官微宣布，六方科技聚焦碳化硅涂層技術，突破國外技術壟斷，實現了碳化硅涂層產品在半導體領域的部分國產替代。

在前期的研發及產業化基礎上，六方科技創始人、甬江實驗室熱場材料創新中心主任，何少龍博士申報的項目“超高純耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層材料研究及應用探索”通過答辯，被納入“尖兵領雁”研發攻關計劃，獲得浙江省重大科創平臺省級財政補助資金2000萬。

該項目的通過并獲得資助，對開展先進陶瓷涂層材料具有極大的推動作用，未來通過實驗室成果轉化，為六方科技持續引領先進涂層技術奠定堅實基礎。

△碳化鉭涂層產品

項目聚焦碳化硅，碳化鉭，碳化鎢等超高純度、耐高溫、耐腐蝕的陶瓷涂層材料的基礎研究以及產業化應用，最終將技術成功轉化為產品。甬江實驗室熱場材料創新中心與六方科技之間的緊密合作，助力項目順利開展。

△甬江實驗室熱場材料創新中心

來源：六方半導體官微

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：突破壟斷，六方半導體SiC涂層技術實現國產替代

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